Πυρίτιο: Διαφορά μεταξύ των αναθεωρήσεων
Περιεχόμενο που διαγράφηκε Περιεχόμενο που προστέθηκε
Γραμμή 200:
=== Ηλεκτρονικού βαθμού καθαρότητας πυρίτιο ===
[[File:Monokristalines Silizium für die Waferherstellung.jpg|thumb|Μονοκρυσταλλικό πυρίτιο ανεπτυγμένο με τη διεργασία Czochralski
Η χρήση του πυριτίου σε [[ημιαγωγός|ημιαγωγικές]] συσκευές απαιτεί πολύ μεγαλύτερη καθαρότητα από το μεταλλουργικού βαθμού καθαρότητας πυρίτιο. Πολύ καθαρό πυρίτιο (>99,9%) μπορεί να παραχθεί από στερεό [[διοξείδιο του πυριτίου]] (SiO<sub>2</sub>), ή άλλες πυριτιούχες ενώσεις, με [[ηλεκτρόλυση]] [[τήξη|τηγμένου]] [[άλας|άλατος]]<ref>Rao, Gopalakrishna M. (1980). "Electrowinning of Silicon from K<sub>2</sub>SiF<sub>6</sub>-Molten Fluoride Systems". ''Journal of the Electrochemical Society'' '''127''' (9): 1940. doi:10.1149/1.2130041.</ref><ref>De Mattei, Robert C. (1981). "Electrodeposition of Silicon at Temperatures above Its Melting Point". ''Journal of the Electrochemical Society'' '''128''' (8): 1712. doi:10.1149/1.2127716.</ref>. Αυτή η μέθοδος, που είναι γνωστή από το [[1854]]<ref>Deville, H. St. C. (1854). "Recherches sur les métaux, et en particulier sur l'aluminium et sur une nouvelle forme du silicium". ''Ann. Chim. Phys.'' '''43''': 31.</ref>,έχει τη δυναμική να παράξει απευθείας ηλιακού βαθμού καθαρότητας πυρίτιο, χωρίς καθόλου εκπομπή διοξειδίου του άνθρακα και με πολύ μικρότερη κατανάλωση ενέργειας.
Ωστόσο, το ηλιακού βαθμού καθαρότητας πυρίτιο
Η
== Φυσικές ιδιότητες ==
| |||